著者

菅井 秀郎

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.63, no.6, pp.559-567, 1994

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プラズマを用いるドライプロセスは,薄膜デバイスの作製に欠かせないツールとして定着している.しかし,デバイスの微細化と大面積化が急速に進むにっれ,新しいプラズマ・ソースの開発が緊急課題になってきた.新プラズマ源は,これまでになく高密度で大口径であることが必須条件であり,しかも低い圧力でこれを生成しなければならない.このような苛酷な条件を満たす高効率プラズマ源として,まずECRプラズマが名乗りをあげ,ついでヘリコン波励起プラズマが開発された.ざらに最近になって,誘導結合型プラズマが発表されている.ここでは,これらの競合する三種類のプラズマについて,生成法の原理や特徴について比較する.そして最後に,高密度プラズマに共通する問題点について述べる.

著者

中村 圭二 菅井 秀郎

出版者

中部大学

雑誌

基盤研究(C)

巻号頁・発行日

2008

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電子密度のモニタが可能で,プラズマへの擾乱を最小限に抑制可能な平板型周波数シフトプローブに着目し,プローブ周囲に形成されるシースによる影響を調べた。またシース効果を抑制して測定精度を向上させるとともに、電子温度の算出方法などについて検討した。スリット幅が異なる2種類のプローブについてシミュレーションと実験を行ったところ,シースを考慮せずに算出した電子密度は,真の電子密度に比べて低めに見積もられ,シース幅が厚くなるにつれてその傾向が顕著となった。しかしスリット幅を広くすると,シース効果が緩和されて測定精度が向上した。さらにスリット幅が異なる2つのプローブを用いることで電子温度の算出も可能となることがわかった。