- 著者
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鵜殿 治彦
勝野 広宣
田中 昭
助川 徳三
- 出版者
- 一般社団法人電子情報通信学会
- 雑誌
- 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス
- 巻号頁・発行日
- vol.93, no.45, pp.19-24, 1993-05-20
- 被引用文献数
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所望の組成のGaAsP混晶層をGaP基板上に形成する新しい液相技術を開した。まず、ステップクーリング法によってGaP基板上にGaAs層を成長させ、続いてそれをGa-As-P飽和溶液と接触させ、795℃に保った。この熱処理によってGaAs成長層の組成がGaAsPに変換された。この変換が約5分で完了すること、変換後の混晶組成が熱処理に用いるGa-As-P溶液の組成を調整することによって制御できること等が判った。熱処理に引き続いて徐冷することによって、変換されてできちGaAsP層上に良好なGaAsP混晶層を成長させることができた。