著者

水谷 五郎 宮内 良広 佐野 陽之 KHUAT Hien

出版者

北陸先端科学技術大学院大学

雑誌

基盤研究(C)

巻号頁・発行日

2011-04-28

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MgO(210)ファセット面上にPtを斜め蒸着し、線幅2nm間隔7nmのPtナノワイヤ列の製作に成功した。このワイヤ列のSHGは、7nmの線幅のPtナノワイヤよりも強度が数10倍強く、その原因としてワイヤ内電子の量子閉じ込め効果を推測した。MgO(210)ファセット面上にPdを斜め蒸着した膜の透過電顕像はナノワイヤの長さの方向に長いモアレ構造を示した。またステップ構造を持つTiO2上にAuを蒸着した膜の製作に成功した。現在これらの試料のSHG応答を計測している。またクロム薄膜に加工したナノホール列のSHG応答、Siステップ表面上のHのSFG応答から表面上のミクロ構造を担った重要な情報を得た。