著者
斉藤 敦 後藤 浩治 笹沼 拓也 鈴木 清修 中瀬 太郎 濱崎 勝義
出版者
一般社団法人電子情報通信学会
雑誌
電子情報通信学会技術研究報告. SCE, 超伝導エレクトロニクス
巻号頁・発行日
vol.96, no.174, pp.13-18, 1996-07-24
被引用文献数
1

超伝導体-constrictions-超伝導体(S-c-S)を電界蒸発法を用いて作製した。本手法を用いることにより、constriction長とAndreev反射確率を容易に変化させることができる。実験から得られた準粒子電流特性とその温度依存性は、S-c界面でのsingle-Andreev反射を基礎とする拡張したBTK理論と定量的に一致した。しかし、中にconstrictionが形成される絶縁層(MgO)が薄い場合のトンネル特性のときに観測されたサブハーモニックギャップ構造(SGS)は、界面の散乱ポテンシャルZ〜0になったとき、multiple-Andreev反射を基礎としたOTBK 理論の予想とは異なり4.2KからT_<c,Nb>までの全ての温度領域で観測されなかった。