著者
山口 憲 手嶋 達也 水田 博
出版者
一般社団法人電子情報通信学会
雑誌
電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス (ISSN:09135685)
巻号頁・発行日
vol.99, no.263, pp.23-30, 1999-08-26

DRAMデータ保持時間の累積頻度分布の裾野で顕在するリーク電流の特異現象(リーク電流の逆バイアス電圧に対する急増と再飽和現象)の原因を究明する為、『深い準位の偶発的発生モデル』を提案、上記提案モデルの妥当性をデバイスシミュレーションにより確認した。又、準位発生の位置バラツキが電流急増開始電圧にバラツキを発生させる事を示し、百万分の一の確率で発生する特異モードを統一的に理解出来る事を確認した。更に、メイン分布、テール分布での電流値と材料定数の関係を定量的に評価し、リーク電流の発生原因の探求を理論的に試みた。