著者

松房 洋朗 近藤 和夫

出版者

一般社団法人エレクトロニクス実装学会

雑誌

エレクトロニクス実装学術講演大会講演論文集 第17回エレクトロニクス実装学術講演大会

巻号頁・発行日

pp.17, 2003 (Released:2003-10-14)

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ZnO薄膜はn型でワイドバンドギャップ(3.3eV)の半導体であり液晶ディスプレイなどの透明電極配線板や青色発光デバイスとして応用が期待されている。また励起子の結合エネルギーが大きいことから、室内で高効率な発光が期待できる。青色発光デバイスはpn接合を必要としp型ZnO薄膜の開発が必要不可欠である。近年、様々な作製方法によりp,n型ZnO薄膜の作製が行われている。本研究ではプラズマCVD法によりアンモニアをドーパント、酸化剤として酸素を導入したp型ZnO薄膜の作製を試みた。バッファ層を導入することによりホール係数7.86×103cm3/Cのp型ZnO薄膜の作製に成功し、アニ_-_ルすることにより抵抗率21 Ω・cmと低抵抗率化に成功した。