著者

佐々木 健 蜂須賀 啓介 保坂 寛 板生 清

出版者

一般社団法人エレクトロニクス実装学会

雑誌

エレクトロニクス実装学術講演大会講演論文集 第17回エレクトロニクス実装学術講演大会

巻号頁・発行日

pp.141, 2003 (Released:2003-10-14)

---

ウェアラブル機器への応用を想定した人体内無線通信技術の原理,および応用の形態について概説する.人体は電気の伝導体であり,信号伝達の経路として利用でき,空中を伝播する従来の無線と置き換えることにより,新たなアプリケーションの可能性がある.人体内無線通信のモデル化,伝達特性,ファントムを用いたシミュレーション等について述べ,試作したディジタル通信モジュールを用いた実験結果について報告する.さらに実装上の課題,将来のアプリケーションについて述べる.

著者

松房 洋朗 近藤 和夫

出版者

一般社団法人エレクトロニクス実装学会

雑誌

エレクトロニクス実装学術講演大会講演論文集 第17回エレクトロニクス実装学術講演大会

巻号頁・発行日

pp.17, 2003 (Released:2003-10-14)

---

ZnO薄膜はn型でワイドバンドギャップ(3.3eV)の半導体であり液晶ディスプレイなどの透明電極配線板や青色発光デバイスとして応用が期待されている。また励起子の結合エネルギーが大きいことから、室内で高効率な発光が期待できる。青色発光デバイスはpn接合を必要としp型ZnO薄膜の開発が必要不可欠である。近年、様々な作製方法によりp,n型ZnO薄膜の作製が行われている。本研究ではプラズマCVD法によりアンモニアをドーパント、酸化剤として酸素を導入したp型ZnO薄膜の作製を試みた。バッファ層を導入することによりホール係数7.86×103cm3/Cのp型ZnO薄膜の作製に成功し、アニ_-_ルすることにより抵抗率21 Ω・cmと低抵抗率化に成功した。

著者

渡辺 哲史 岸本 正典 藤原 博史 和田 修己 古賀 隆治

出版者

一般社団法人エレクトロニクス実装学会

雑誌

エレクトロニクス実装学術講演大会講演論文集 第17回エレクトロニクス実装学術講演大会

巻号頁・発行日

pp.38, 2003 (Released:2003-10-14)

---

一般的に、電磁放射の大部分を占めているのはコモンモード放射である。このコモンモード放射は様々な原因で発生すると考えられえているが、その要因の一つとして、グランド面が不完全であることが挙げられる。近年のプリント回路基板で多用されるマイクロストリップ構造では、帰路となるグランド面が重要な役割を果たしており、この幅が狭い場合には大きなコモンモード電流を生じる。我々は、これまでにコモンモード電流の発生メカニズムを電流配分率と呼ばれるパラメーターを用いて予測する手法を提案し、単純な形状のプリント回路基板において、予測と測定値が一致することを確認した。今回は、複数の形状変化を伴うやや複雑なグランド形状の場合についても同じコモンモード放射の予測手法が適用可能であることを示す。

著者

能瀬 春雄 坂根 政男 北野 誠 塚田 裕 高橋 浩之 向井 稔

出版者

一般社団法人エレクトロニクス実装学会

雑誌

エレクトロニクス実装学術講演大会講演論文集 第17回エレクトロニクス実装学術講演大会

巻号頁・発行日

pp.26, 2003 (Released:2003-10-14)

---

電子デバイスの高密度実装化や高発熱化に伴い,電子デバイスの電気・機械的接合に用いられるはんだ接合部の使用環境はより厳しくなり,信頼性の高い強度評価法が求められている.しかし,これまで,はんだの引張および低サイクル疲労試験法は信頼できる標準的な手法が確立していなかった.本報告では,日本材料学会高温強度部門委員会で策定した,「はんだの引張試験法標準」および「はんだの低サイクル疲労試験法標準」について報告する.また,同試験法によって得られた,鉛系および非鉛系はんだのデ_-_タベ_-_スについても紹介する.

著者

齋木 幸則 根本 憲一

出版者

一般社団法人エレクトロニクス実装学会

雑誌

エレクトロニクス実装学術講演大会講演論文集 第17回エレクトロニクス実装学術講演大会

巻号頁・発行日

pp.12, 2003 (Released:2003-10-14)

---

LSI製品の動作確認には、チップに設けられた電極パットにプローブを立てて電気特性を検査する方法が採用されている。そのプローブは、電気めっき法によるニッケルバンプが検討され、高アスペクト比ニッケルバンプ作製の有機添加剤の研究が報告されている。 一方、無電解ニッケルめっきは、等方成長(膜圧の均一性)であることからプローブ用ニッケルバンプを作製した場合、バンプ形状はドーム型の高アスペクト比バンプにはならず、横に広がり平たいバンプ形状になる。 そこで我々は、バンプ形状を制御できる異方成長促進剤を検討し、高アスペクト比(1.2以上)の無電解ニッケルバンプの作製に成功した。このバンプは、1)横方向への広がりが少ない、2)縦方向へのめっき成長速度が速い、3)バンプ高さばらつきが少ない、4)高硬度、のバンプの為、マイクロプローブへの応用が期待できる。