著者

高見 誠一 横須賀 俊之 黒川 仁 草谷 友規 鈴木 研 久保 百司 宮本 明 今村 詮

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス (ISSN:09135685)

巻号頁・発行日

vol.101, no.350, pp.61-63, 2001-10-09

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LSIデバイスの極限的な集積化を目指して、シリコン半導体のさらなる微細化・統合化が進められている。我々は、従来の実験やマクロスケールのシミュレーションに加えて、非経験的に薄膜成長機構や電気的特性を予測できる手法の開発が、シリコン半導体のさらなる発展を支えるものと確信している。本発表では、我々の高速化量子分子動力学法の開発、特にその高速化・高精度化への取組みと、本手法をシリコン系材料の単純系から大規模系にまで適用を行ない、シリコン系材料における本手法の有効性を確認した結果について講演する。