著者

尾澤 伸樹 中村 美穂 久保 百司

出版者

公益社団法人 精密工学会

雑誌

精密工学会誌 (ISSN:09120289)

巻号頁・発行日

vol.78, no.11, pp.941-946, 2012-11-05 (Released:2013-05-05)

参考文献数

5

著者

尾澤 伸樹 石川 宗幸 中村 美穂 久保 百司

出版者

公益社団法人 日本表面科学会

雑誌

表面科学 (ISSN:03885321)

巻号頁・発行日

vol.33, no.6, pp.351-356, 2012-06-10 (Released:2012-06-29)

参考文献数

4

被引用文献数

7 14

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A chemical mechanical polishing (CMP) mechanism of a glass surface by a CeO2 abrasive grain under water environment has not been elucidated because the CMP process is complicated combination of chemical reactions and mechanical polishing. In this review, we introduce our successful clarification of the CMP mechanism by computational simulation methods. First, we revealed that the oxygen defects in the CeO2 abrasive grains lead to the generation of exposed Ce3+ atoms on the CeO2 surface and then the chemical reactions of the exposed Ce3+ atom and the glass surface make the elongation of Si-O bonds. We also clarified that H2O molecules react with the above elongated Si-O bonds and then the Si-O bonds are dissociated. These chemical reactions are suggested to soften the glass surface and enhance the mechanical polishing. Furthermore, according to the above clarified CMP mechanism, we succeeded to propose the design principles for the alternative materials of CeO2 abrasive grains.

著者

増田 剛 坪井 秀行 古山 通久 遠藤 明 久保 百司 Del Carpio Carlos A. 宮本 明

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス

巻号頁・発行日

vol.105, no.318, pp.31-32, 2005-09-30

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低エネルギーイオン注入法による極浅p^+/n接合面の形成は、半導体デバイス製造プロセスに欠かせないものとなっている。本研究では、低エネルギーイオン注入法による極浅p^+/n接合形成プロセスにおける原子ダイナミクスを解明するために、当研究室独自に開発した数千原子からなる大規模系の計算を可能とするハイブリッド量子分子動力学計算プログラムを用いて、プリアモルファス化したシリコン基板へのドーパント注入シミュレーションを行った。

著者

豊田 陽平 大山 高裕 亀井 大輔 宮谷 太朗 三浦 隆治 遠藤 明 久保 百司 宮本 明

出版者

公益社団法人 化学工学会

雑誌

化学工学会 研究発表講演要旨集

巻号頁・発行日

vol.2003, pp.1023, 2003

著者

千葉 景子 坪井 秀行 古山 通久 久保 百司 二井 啓一 寺本 章伸 大見 忠弘 宮本 明

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス

巻号頁・発行日

vol.104, no.337, pp.21-22, 2004-10-08

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Si基板を安定に保つためには表面の水素終端が最も有効であり、様々な薬液を用いた表面処理が行われているが、半導体表面上での化学反応は未だ不明な点が多い。そこで本研究では、シリコン表面の終端水素がラジカルなどによって説離する過程を量子化学的に検討した。その結果、表面近傍におけるラジカル種の存在によって容易に終端水素が説離することが明らかになった。

著者

高見 誠一 横須賀 俊之 黒川 仁 草谷 友規 鈴木 研 久保 百司 宮本 明 今村 詮

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス (ISSN:09135685)

巻号頁・発行日

vol.101, no.350, pp.61-63, 2001-10-09

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LSIデバイスの極限的な集積化を目指して、シリコン半導体のさらなる微細化・統合化が進められている。我々は、従来の実験やマクロスケールのシミュレーションに加えて、非経験的に薄膜成長機構や電気的特性を予測できる手法の開発が、シリコン半導体のさらなる発展を支えるものと確信している。本発表では、我々の高速化量子分子動力学法の開発、特にその高速化・高精度化への取組みと、本手法をシリコン系材料の単純系から大規模系にまで適用を行ない、シリコン系材料における本手法の有効性を確認した結果について講演する。