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文献一覧: 江藤 幹雄 (著者)
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OA
19pWF-12 多谷構造をもつシリコン量子ドットの電子状態と近藤効果(量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
著者
江藤 幹雄
波田 陽子
出版者
一般社団法人 日本物理学会
雑誌
日本物理学会講演概要集 60.2.4
(
ISSN:21890803
)
巻号頁・発行日
pp.524, 2005-08-19 (Released:2018-03-03)