- 著者
-
深尾 浩次
中村 健二
- 出版者
- 立命館大学
- 雑誌
- 基盤研究(B)
- 巻号頁・発行日
- 2009
高分子積層薄膜のガラス転移およびα過程のダイナミクスを誘電緩和スペクトル法により調べた.対象とした高分子はポリ2クロロスチレンで,アニール過程での時間変化を追跡した.その結果,誘電損失プロファイルがアニール時間とともに,シャープになり,緩和時間の分布が積層したままの薄膜では単一高分子薄膜と同様にブロードになっているが,アニールとともにバルクな状態での緩和時間分布に近づくことがわかった.一方,α過程の緩和時間の温度依存性は積層したままの状態では,アレニウス型に近いが,アニールとともに,より強い温度依存性へと移行することが確認された.これらの結果はバルク系でのこれまでの研究の結果とは異なり,積層高分子薄膜における特異な現象であることがわかった.