著者

西永 頌 HUO C. GE P. NIE Y. 成塚 重弥 田中 雅明 NIE Yuxin GE Peiwen HUO Chongru HUO C GE P NIE Y

出版者

東京大学

雑誌

国際学術研究

巻号頁・発行日

1995

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平成7年度から平成9年度の3年間にわたり、中国科学院物理研究所と東京大学工学系研究科との共同研究により、微小重力下で化合物半導体GaSbの融液成長に関する研究を行った。本研究においては、平成4年において、中国の回収型衛星を用いて融液成長法により成長させた結晶を評価する研究より開始した。評価法としては、化学エッチングによる転位の評価および、空間分解フォトルミネッセンス法によるTe不純物分布の測定を行った。前者の結果から、転位は種結晶から宇宙で成長した結晶部分に移る所で一度は増加するが、次第に減少し、ついには0になることがわかった。宇宙では融液柱および成長結晶は浮遊しており、管壁に接しないので歪みが発生しない。このため非常に高品質の結晶が成長したことが判明した。次に空間分解フォトルミネッセンス法によりTeの分布を調べた所、宇宙で融液が浮遊し、自由表面が出ていたにもかかわらず、不純物分布は拡散支配となっていることが判明した。このことは、宇宙ではマランゴニ対流が発生しなかったことを意味しており、非常に興味深い結果が得られた。次に同じく日中の共同研究によりNASAのGASプログラムを利用し、スペースシャトルにおいてGaSbの融液成長を行う計画を立てた。そのため中国側では電気炉を作製し、日本側はGaSbの結晶を加工整形し石英アンプル管に封入する作業を行った。中国側では、6分割電気炉を設計試作し、これに一定の温度勾配をつけ、この分布を上下に変化させることによりGaSbの結晶を融解・固化するようプログラムを作製した。日本側ではTeをドープした直径10mm長さ10cmのGaSbを石英管に真空封入し中国側に渡し、中国側でこれ等をGAS容器にセットしNASAに送った。実験は二度程延期となったが、平成10年1月末スペースシャトルSTS-89号で行われ、現在GAS容器は中国に搬送中である。この間、実験を行う上での打ち合わせを中国、日本と各3回行い準備を進めるとともに、中国回収衛星で行った融液成長実験の解析および討論を行った。

著者

西永 頌

出版者

日本結晶成長学会

雑誌

日本結晶成長学会誌 (ISSN:03856275)

巻号頁・発行日

vol.16, no.3, pp.234-235, 1990-03-25

著者

西永 頌

出版者

日本結晶成長学会

雑誌

日本結晶成長学会誌 (ISSN:03856275)

巻号頁・発行日

vol.42, no.1, pp.4-5, 2015 (Released:2017-05-31)

著者

西永 頌

出版者

日本結晶成長学会

雑誌

日本結晶成長学会誌 (ISSN:03856275)

巻号頁・発行日

vol.18, no.3, pp.303-304, 1992-03-15

著者

西永 頌 西森 茂樹 平本 俊郎 鷲山 昌子

出版者

日本結晶成長学会

雑誌

日本結晶成長学会誌 (ISSN:03856275)

巻号頁・発行日

vol.12, no.3, 1985-07-05

著者

西永 頌 数野 忠雄 反保 敏治 小出 二郎 朴 康司 中村 哲郎 安田 幸夫

出版者

日本結晶成長学会

雑誌

日本結晶成長学会誌 (ISSN:03856275)

巻号頁・発行日

vol.8, no.2, 1981-07-15

著者

諸橋 誠 沢木 宣彦 西永 頌

出版者

一般社団法人日本物理学会

雑誌

年会予稿集

巻号頁・発行日

vol.36, no.2, 1981-03-30

著者

任 紅文 西永 頌

出版者

日本結晶成長学会

雑誌

日本結晶成長学会誌 (ISSN:03856275)

巻号頁・発行日

vol.22, no.3, 1995-07-10

著者

西永 頌 笹岡 千秋

出版者

日本結晶成長学会

雑誌

日本結晶成長学会誌 (ISSN:03856275)

巻号頁・発行日

vol.11, no.1, 1984-07-05

著者

西永 頌 朴 康司 笹岡 千秋

出版者

日本結晶成長学会

雑誌

日本結晶成長学会誌 (ISSN:03856275)

巻号頁・発行日

vol.13, no.2, pp.136-143, 1986-10-15

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The behavior of LPE macrostep during the growth was studied by using photoluminescence image and spatially resolved photoluminescence taking GaP doped with zinc, oxygen and nitrogen as examples. It was shown that the impurities were doped much more heavily on the macrostep terrace than on the riser. To understand the impurity inhomogeneity around the macrostep, the interface supersaturation was calculated theoretically around the macrostep by using conformal mapping. The calculation showed that the interfacial supersaturation was very small such as 0.01% and this led to the conclusion that the rejection of the impurity from the growing crystal occurs not at the kink or on the surface of the growth step but at the edge of the step.