- 著者
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山崎 崇
大見 俊一郎
盛田 伸也
大理 洋征龍
室田 淳一
櫻庭 政夫
尾身 博雄
酒井 徹志
- 出版者
- 一般社団法人電子情報通信学会
- 雑誌
- 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス (ISSN:09135685)
- 巻号頁・発行日
- vol.104, no.152, pp.13-16, 2004-06-23
極薄SOI層と素子間分離領域の形成を一体化する新技術として開発を進めているSBSI (Separation by Bonding Si Islands)プロセスで形成されるSOI層について、その層厚の均一性向上を検討した。主要プロセスであるSiGe層の選択エッチング技術に関して、CVD法で形成したSiGe/i-Si(non-doped-Si)積層試料を用い、SiGeとSiのエッチング選択比およびエッチング後の表面ラフネスを調べた結果、エッチングに使用する弗酸と硝酸の混合液における硝酸比を低下することでエッチングの選択比、表面ラフネスを共に向上できることが分かった。更に、改良された混合比のエッチング条件でSBSIプロセスを検証し、形成されるSOI層の層厚均一性が向上することを示した。