著者

五十嵐 幹二 河崎 孝弘 小片 展之 酒井 忠司 一柳 薫 藤森 新 山内 俊一

出版者

一般社団法人 日本糖尿病学会

雑誌

糖尿病 (ISSN:0021437X)

巻号頁・発行日

vol.49, no.6, pp.417-421, 2006 (Released:2009-01-19)

参考文献数

8

被引用文献数

1

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症例は17歳男性.主訴は口渇,体重減少.受診時,意識清明であったが,血糖値は1,107 mg/dl, HbA1C 13.5%と著明に高値.動脈血pH 7.36と正常域内だが,血中総ケトン体は8,460 μmol/lと上昇.抗GAD抗体陰性,清涼飲料水多飲歴,肥満(BMI 29.9)より清涼飲料水ケトーシスと診断した.入院後,インスリン療法と補液により高血糖は速やかに是正された.血清フルクトース値は入院時517.3 μmol/l(基準値:10 μmol/l以下,1 μmol/l=0.018 mg/dl)と異常高値を示し,翌日には67.9 μmol/lまで低下(血糖値330 mg/dl),第11病日では18.9 μmol/l(血糖値218mg/dl)となった.同程度の高血糖病態である糖尿病性ケトアシドーシス(n=10)に比べ,清涼飲料水ケトーシス(n=3)の入院時血清フルクトース値は明らかに高値であり,この著明な高フルクトース血症が清涼飲料水ケトーシス発症に関与していることが強く示唆された.

著者

張 利 酒井 忠司 鈴木 健聡

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス

巻号頁・発行日

vol.95, no.10, pp.9-14, 1995-04-21

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ポーラスシリコン(PS)の微細構造を保持しながら基本的な不純物であるボロン及びリンの拡散を試み、微細構造と不純物分布を独立に制御することに成功した。これにより、発光特性を保ったままポーラスシリコン層の抵抗率を低減することができた(ITO/PS接合発光素子の抵抗を2桁以上低減)。さらに層の一部の領域の伝導型を選択的に転換して、PS層中にn+p型の均質なホモpn接合を形成することに成功した。このpn接合はシリーズ抵抗の小さい良好なダイオード特性とともに、PSとして世界で最も低電圧の0.66Vからの注入発光を、シリコンフォトダイオードにより確認することができた。