著者

白木 靖寛 丸泉 琢也 野平 博司 澤野 憲太郎 瀬戸 謙修 徐 学俊 夏 金松 中川 清和 松井 敏明 宮田 典幸 宇佐美 徳隆

出版者

東京都市大学

雑誌

基盤研究(A)

巻号頁・発行日

2009

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次世代LSI(大規模集積回路)の高速・低消費電力化のための革新的デバイスとして、Si基板上Ge光電子融合デバイスの実現へ向けた基盤技術を、シミュレーション技術開発とともに確立した。従来とは異なる新規な歪みGeチャネル形成、絶縁層上歪みGe(Ge-on-Insulator)基板作製に成功し、また、量子ドットを有する、フォトニック結晶やマイクロディスク等の微小共振器構造を組み込んだ電流注入発光デバイスを作製し、室温における強い電流注入発光、導波路とのカップリングに成功した。