著者
阿部 友紀 安東 孝止
出版者
鳥取大学
雑誌
基盤研究(C)
巻号頁・発行日
2011

本研究の目的は, 励起子結合エネルギーの大きいZnO系量子井戸における励起子効果を最大限に活用することによって,光変調器を実現することである。我々は,c面サファイア基板上に1nm程度のMgOバッファ層を成長した後にO極性ZnOバッファを成長して,バッファ層の高品質化を行った。紫外透明導電膜であるPEDOT:PSSとZnO/ZnMgO量子井戸のショットキ型光変調器を作製し,20meVのシュタルクシフトを得た。また,透過型光変調器として波長370nm(3.35eV)において光変調動作を確認した。さらに,電解液でZnO表面にコンタクトをとることにより2Vという低電圧動作も確認した。