著者
鬼沢 岳 加藤 慎一 青山 敬幸 奈良 安雄 大路 譲
出版者
一般社団法人電子情報通信学会
雑誌
電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス (ISSN:09135685)
巻号頁・発行日
vol.108, no.139, pp.103-107, 2008-07-10

自由にパルス形状を変えることの出来るフラッシュランプアニール技術(FSP-FLA:Flexibly-Shaped-Pulse Flash-Lamp-Anneal)を用いて、極浅接合形成およびメタル/高誘電率絶縁膜トランジスタの特性改善を行った。従来のFLA処理は、メタル/高誘電率絶縁膜トランジスタの移動度劣化・BTI (Bias Temperature Instability)寿命の劣化を引き起こす。FLA処理後の回復アニールによりそれらの劣化は改善できるが、不純物の拡散・不活性化を伴うため浅接合形成が困難となる。FSP-FLAを用い、高出力フラッシュ後に低出力・10ミリ秒のフラッシュを追加することで、不純物の拡散・不活性化を伴うことなく、高移動度・高BTI寿命を得ることに成功したので報告する。