著者

中村 昇平 松尾 直人 部家 彰 山名 一成 高田 忠雄 福山 正隆 横山 新

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. EID, 電子ディスプレイ (ISSN:09135685)

巻号頁・発行日

vol.114, no.359, pp.17-20, 2014-12-05

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DNA(チャネル)/SiO_2/Si(ゲート)構造において,DNAのキャリアの振る舞いを調べた.シリコン基板を使って電極間に120nmのギャップを作り,DNAはギャップの間に作製した.dI_D/dV_Dは0.7Vで極値を示ており,この理由はDNA中のトラップとデトラップが関与していると考える.電子はグアニンにトラップされ,チャネル部における電圧によってデトラップが引き起こされる.p^+Siの場合多数キャリアのホールはDNAチャネル中の電子と再結合し,質量作用の法則により,トレイン電極からチャネルに注入される.