著者

部家 彰 松尾 直人

出版者

一般社団法人 表面技術協会

雑誌

表面技術 (ISSN:09151869)

巻号頁・発行日

vol.58, no.12, pp.836-836, 2007 (Released:2008-08-01)

参考文献数

14

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The surface properties of a plastic substrate were changed using a novel surface treatment called atomic hydrogen annealing (AHA). In this method, a plastic substrate was exposed to atomic hydrogen generated by cracking hydrogen molecules on heated tungsten wire. Surface roughness was increased, and O atoms and halogen elements (F and Cl) were selectively etched by AHA. The surface modification of the PEN substrate affects the surface property of the SiNx film. Adhesion between the SiNx film and the PEN substrate in the SiNx film/PEN substrate prepared by Cat-CVD shows excellent properties.

著者

中村 昇平 松尾 直人 部家 彰 山名 一成 高田 忠雄 福山 正隆 横山 新

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. EID, 電子ディスプレイ (ISSN:09135685)

巻号頁・発行日

vol.114, no.359, pp.17-20, 2014-12-05

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DNA(チャネル)/SiO_2/Si(ゲート)構造において,DNAのキャリアの振る舞いを調べた.シリコン基板を使って電極間に120nmのギャップを作り,DNAはギャップの間に作製した.dI_D/dV_Dは0.7Vで極値を示ており,この理由はDNA中のトラップとデトラップが関与していると考える.電子はグアニンにトラップされ,チャネル部における電圧によってデトラップが引き起こされる.p^+Siの場合多数キャリアのホールはDNAチャネル中の電子と再結合し,質量作用の法則により,トレイン電極からチャネルに注入される.