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文献詳細
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OA
Switching characteristics of lateral-type and vertical-type SiC JFETs depending on their internal parasitic capacitances
著者
Phankong Nathabhat
Funaki Tsuyoshi
Hikihara Takashi
出版者
IEICE-INST ELECTRONICS INFORMATION COMMUNICATIONS ENG
雑誌
IEICE ELECTRONICS EXPRESS
(
ISSN:13492543
)
巻号頁・発行日
vol.7, no.14, pp.1051-1057, 2010
被引用文献数
3
言及状況
変動(ピーク前後)
変動(月別)
分布
外部データベース (DOI)
10
Mendeley
DOI Chronograph
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@toa_kurohane @Ag9x_fab @kei777_ex SiCのですが、横型(ラテラル)と縦型(ヴァーティカル)の構造を比較してる図がありました http://t.co/EtbvbqdBRO
収集済み URL リスト
http://repository.kulib.kyoto-u.ac.jp/dspace/bitstream/2433/152258/1/elex.7.1051.pdf
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