著者

原田 翔平 大村 一郎 附田 正則

出版者

社団法人電気学会

雑誌

電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会

巻号頁・発行日

vol.EDD-15, pp.EDD-15-085, 2015-10

---

Double gate IGBT is proposed and confirmed significant reduction of turn-off loss with TCAD simulation. Conventional IGBTs have a problem of large turn-off loss with stored carrier in N-base. The proposed structure declines carrier injection during turn-off by dynamic hole injection decrease with the collector side gate control.

著者

田上 三郎 小林 孝 桐畑 文明 染河 秀治 久保山 智司

雑誌

電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会

巻号頁・発行日

vol.2001, no.68, pp.41-46, 2001-10-25

参考文献数

3

被引用文献数

1

著者

齋藤 渉 相田 聡 上月 繁雄 泉沢 優

雑誌

電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会

巻号頁・発行日

vol.2011, no.66, pp.19-22, 2011-10-27