- 著者
- 原田 翔平 大村 一郎 附田 正則
- 出版者
- 社団法人電気学会
- 雑誌
- 電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会
- 巻号頁・発行日
- vol.EDD-15, pp.EDD-15-085, 2015-10
Double gate IGBT is proposed and confirmed significant reduction of turn-off loss with TCAD simulation. Conventional IGBTs have a problem of large turn-off loss with stored carrier in N-base. The proposed structure declines carrier injection during turn-off by dynamic hole injection decrease with the collector side gate control.
言及状況
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ゲート電圧を時間的に3種類組み合わせることでなぜターンオン/オフ時間が減らせるのか…？
論文を読んでみたい所ですがまだ学会発表のみのようです。
まず先行研究のダブルゲートIGBTを理解すべきでしょうか。ちょっと読むのに時間がかかりそう…。
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