著者
畠山 力三 金子 俊郎 加藤 俊顕
出版者
東北大学
雑誌
挑戦的萌芽研究
巻号頁・発行日
2009

シリコン基板上への高品質グラフェン直接合成法を開発することに成功した. 拡散プラズマを利用して, シリコン基板表面に薄膜状に堆積させたニッケル内部の炭素拡散を促進させることで, ニッケルとシリコン基板界面に高品質グラフェンを直接合成することを実現した. また, 同様の拡散プラズマを利用することで, グラフェンエッジのみに選択的に窒素原子をドーピングすることに成功した. これにより, グラフェンの電気伝導特性をp型からn型に自在に制御する手法を確立した

言及状況

教えて!goo (1 users, 1 posts)

熱CVDでもCNTの場合は、副生成物(ナノカーボン、グラファイト片他)の生成を抑制するために、水素ガスを流していたようです。 グラフェンでも同じではないでしょうか? 公立の図書館でも司書さんによるリファレンスサービスを行っていますので、 この手の質問をすれば、何か良い文献、書籍を教えてくれると思いますよ。 https://kaken.nii.ac.jp/d/p/21654084 ...

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