著者

山本 喜久

出版者

国立研究開発法人科学技術振興機構

雑誌

源流 (ISSN:13453610)

巻号頁・発行日

vol.2000, no.2, pp.1-5, 2000 (Released:2000-11-30)

参考文献数

14

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極低温に冷やした半導体(GaAs)に作成した二次元電子ガスがフェルミ縮退していることを利用して、電子衝突過程の量子干渉効果とアンチバンチング性の直接観測に成功した。量子干渉効果は電流雑音(ゆらぎ)から観測し、アンチバンチング性については量子ポイントコンタクトから放出される電子の負の強度相関により観測した。