基盤(C)代表、分担で採択されました ミストCVD法を用いた窒化物半導体向けゲート絶縁膜堆積プロセス開発とMOSデバイス応用 https://t.co/uCZhKIjfj3 Study on high-κ dielectric/regrown nitride semiconductor interfaces for high efficiency and highly-safe transistors https://t.co/KiejDUSYut https://t.co/xY02xoFhZh

基盤(C)代表、分担で採択されました ミストCVD法を用いた窒化物半導体向けゲート絶縁膜堆積プロセス開発とMOSデバイス応用 https://t.co/uCZhKIjfj3 Study on high-κ dielectric/regrown nitride semiconductor interfaces for high efficiency and highly-safe transistors https://t.co/KiejDUSYut https://t.co/xY02xoFhZh

#日本表面真空学会 学術講演会要旨『月間アクセス数ランキング(R4年2月)』で1位(941件中)になりました。 https://t.co/MQ2WWu68KJ "ミストCVD法により作製したAl₂O₃薄膜とGaN系MIS-HEMTへの応用" https://t.co/Lf1t7slP6w 熊大 中村教授、関学 葛原教授、福井大Asubar准教授との共同研究です。 https://t.co/cQw2taQln3

Structural characterization of mist chemical vapor deposited amorphous aluminum oxide films using water-free solvent https://t.co/AXqi4irWE9

Interface Characterization and Control of GaN-based Heterostructures https://t.co/MVOZAeMKZS

Contraction behaviors of Vorticella sp. stalk investigated using high-speed video camera. II: Viscosity effect of several types of polymer additives https://t.co/QmBrQvazD6

Contraction behaviors of Vorticella sp. stalk investigated using high-speed video camera. I: Nucleation and growth model https://t.co/7DCrGu74us