基盤(C)代表、分担で採択されました ミストCVD法を用いた窒化物半導体向けゲート絶縁膜堆積プロセス開発とMOSデバイス応用 https://t.co/uCZhKIjfj3 Study on high-κ dielectric/regrown nitride semiconductor interfaces for high efficiency and highly-safe transistors https://t.co/KiejDUSYut https://t.co/xY02xoFhZh