著者

平森 智幸 伊藤 元剛 吉川 正雄 廣瀬 明夫 小林 紘二郎

出版者

社団法人エレクトロニクス実装学会

雑誌

エレクトロニクス実装学会誌 (ISSN:13439677)

巻号頁・発行日

vol.6, no.6, pp.503-508, 2003-09-01

被引用文献数

5 6

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本研究では,無電解Ni-Pめっき上にさまざまな厚さのAuめっきを施した基板にBGA対応のSn-AgはんだボールおよびSn-Ag-Cuはんだボールを接合し,リフロー後および高温放置後における界面構造の観察および接合強度の測定を行った。Sn-Ag-Cuはんだの場合,Auめっき厚が250nmと500nmの試料では界面にPリッチ層が形成されたが,Auめっき厚の薄い試料では形成されなかった。一方,Sn-Agはんだの場合,Auめっき厚によらず界面にPリッチ層が形成されていた。どちらのはんだにおいてもAuめっき厚の厚い試料では強度試験において界面で破断が生じたので,Pリッチ層の形成は界面強度の低下につながると考えられる。Sn-Ag-Cuはんだでは50nmのAuめっき厚さが最適であった。