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微細MOSFETのゲートリーク電流の低消費電力用2電源方式に及ぼす影響に関する検討
著者
渡辺 重佳
出版者
一般社団法人電子情報通信学会
雑誌
電子情報通信学会論文誌. C, エレクトロニクス
(
ISSN:13452827
)
巻号頁・発行日
vol.86, no.6, pp.658-660, 2003-06-01
被引用文献数
18
動作時の微細MOSFETのゲートリーク電流が低消費電力用2電源(V_H,V_L)方式に及ぼす影響について解析した.ゲートリーク電流によるシステムLSIの動作時の消費電力は従来の充放電による消費電力同様にV_L/V_H=0.6〜0.7で最小になり,消費電力の削減効果は充放電のときよりも更に15%程度大きくなる.
言及状況
変動(ピーク前後)
変動(月別)
分布
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こんな論文どうですか? 微細MOSFETのゲートリーク電流の低消費電力用2電源方式に及ぼす影響に関する検討(渡辺重佳),2003 http://id.CiNii.jp/NTN4L
収集済み URL リスト
https://ci.nii.ac.jp/naid/110003172162
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