- 著者
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野口 隆
- 出版者
- 一般社団法人電子情報通信学会
- 雑誌
- 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス (ISSN:09135685)
- 巻号頁・発行日
- vol.103, no.159, pp.9-12, 2003-06-23
Si MOSおよびSOIトランジスタ応用に対しての紫外光レーザーアニールによる接合形成技術に関して述べる。Si LSI中のサブ0.1μm MOSトランジスタでは、十分なオン電流を確保し短チャネル効果を抑えるために、低抵抗の超浅接合が要求される。Siに対して高い吸収をもつ均一なビームによるエキシマレーザーアニールは、TFTを用いるAM-FPDにおいてと同様に、Siマイクロエレクトロニクスにおいても浅い接合ドーピングプロセスとして期待される。また、活性化したSi表面を非接触で評価できる有効な方法を提案し述べる。