著者
許 蛍雪 崔 珍赫 宮崎 隆行 川口 博 桜井 貴康
出版者
一般社団法人電子情報通信学会
雑誌
電子情報通信学会技術研究報告 (ISSN:09135685)
巻号頁・発行日
vol.103, no.384, pp.65-70, 2003-10-24

高リーク世代において、Self-Timed Cut-Offに基づくブロックレベル活性化法は、待機時のみならず動作時においてもリーク電流を減らすことができ有効である。その基本動作は統計情報に基づいている。Self-Timed Cut-Offスイッチを使い、一定時間動いてないブロックをスリープモードに入れる。本提案の有効性を8ビットRISCマイクロプロセッサのVerilog HDLによるシミュレーションと々もに、0.25umのSOIプロセスで試作された64ビットのcarry look-head 加算器の測定を通して検証した。

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こんな論文どうですか? 高りーク環境におけるSelf-Timed Cut-Off法を利用した統計的なリーク電流削減手法(システムLSIの応用とその要素技術,専用プロセッサ,プロセッサ,(許 蛍雪ほか),2003 … http://t.co/NQhJ3f7qpw
こんな論文どうですか? 高りーク環境におけるSelf-Timed Cut-Off法を利用した統計的なリーク電流削減手法(システムLSIの応用とその要素技術,専用プロセッサ,プロセッサ,(許 蛍雪ほか),2003 … http://t.co/NQhJ3f7qpw

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