- 著者
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西田 貴司
堀内 俊寿
塩嵜 忠
松重 和美
- 出版者
- 一般社団法人電子情報通信学会
- 雑誌
- 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス
- 巻号頁・発行日
- vol.95, no.387, pp.67-71, 1995-11-24
rfマグネトロンスパッタ法を用いてPt/SiO_2/Si基板上に作製したLiNbO_3のc軸配向膜の焦電性および圧電性を評価した。薄膜の焦電係数は71×10^<-6>C/(m^2K)でバルクの値の86%であった。また,弾性表面波伝搬速度は3980m/sであった。さらに,薄膜の分極極性の制御を目指して,製膜中の基板にバイアス電圧を加えるバイアススパッタを試み,焦電係数の測定から薄膜の分極反転が起こることが見出され,この結果から,薄膜の分極の制御の一方法としての有効性が確認された。