著者

金谷 晴一 石田 謙司 吉田 郵司 原 一広 岡部 弘高 松重 和美 澤岻 英正

出版者

一般社団法人 日本物理学会

雑誌

秋の分科会予稿集 1992.3 (ISSN:2433118X)

巻号頁・発行日

pp.567, 1992-09-14 (Released:2018-03-22)

著者

西田 貴司 堀内 俊寿 塩嵜 忠 松重 和美

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス

巻号頁・発行日

vol.95, no.387, pp.67-71, 1995-11-24

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rfマグネトロンスパッタ法を用いてPt/SiO_2/Si基板上に作製したLiNbO_3のc軸配向膜の焦電性および圧電性を評価した。薄膜の焦電係数は71×10^<-6>C/(m^2K)でバルクの値の86%であった。また,弾性表面波伝搬速度は3980m/sであった。さらに,薄膜の分極極性の制御を目指して,製膜中の基板にバイアス電圧を加えるバイアススパッタを試み,焦電係数の測定から薄膜の分極反転が起こることが見出され,この結果から,薄膜の分極の制御の一方法としての有効性が確認された。