著者

田中 耕二 道本 隆裕 荒井 敏夫

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会総合大会講演論文集

巻号頁・発行日

vol.1996, no.2, 1996-03-11

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窒化ほう素(BN)は結晶構造や種々の特性において常に炭素(C)と比較される興味ある物質である.六方晶BN(hBN)はCにおけるグラファイトと類似の結晶構造で、固体潤滑材や絶縁材として、立方晶BN(cBN)はダイヤモンドと類似の結晶構造で、電子材料や切削材料などへの応用が期待されている.特にcBNはダイヤモンドに比べて高温まで安定なことや、鉄系材料の切削に対して安定であることは良く知られている.ここでは、サドルフィールド形のイオン源による窒素イオンの照射と、電子銃によるBの蒸発を同時に行う方法により、硬質BN膜を得た.そこで、Si(111)基板上に堆積させた硬質BN薄膜の硬さ(Hd)を、室温(RT)から800℃の範囲で測定した結果について報告する.