- 著者
-
田中 耕二
道本 隆裕
- 出版者
- 一般社団法人電子情報通信学会
- 雑誌
- 電子情報通信学会総合大会講演論文集
- 巻号頁・発行日
- vol.1997, no.2, 1997-03-06
炭窒化ほう素(BCN)は炭素(C)と窒化ホウ素(BN)との複合化合物であり, CとBNの優れた特性を併せ持つ新物質として期待されている。しかし, BCNは未だその単結晶が合成されていないことや, 構成元素が共に軽元素であること, CおよびBNと類似の構造を有すると考えられることなどから, BCNの薄膜合成および同定は極めて困難である。ここでは, サドルフィールド型のイオン源に窒素(N_2)とメタン(CH_4)の混合ガスを導入し, 発生したイオンの照射と, 電子銃によるBの蒸発を同時に行う方法により, B-C-N膜を作製した。そこで, 作製した膜の各種分光法による同定と, Si(111)基板上に堆積させたB-C-N薄膜の硬さ(Hd)を室温(RT)から800℃の範囲で測定した結果について報告する。