著者

平野 圭一 島谷 民夫 小野 泰三 河田 哲郎 黒石 範彦 山田 想 宮川 宣明 深瀬 政秋 相原 玲二 栗野 浩之 小柳 光正

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. VLD, VLSI設計技術

巻号頁・発行日

vol.97, no.577, pp.47-54, 1998-03-06

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モンテカルロ法による半導体素子シミュレーションは、ゲート長0.1μm以下の極微細半導体素子におけるホットキャリア効果などの物理現象の解析に非常に有用である。しかしながら、モンテカルロ法による半導体素子シミュレーションは、その精度を向上させるために、非常に多くの電子や正孔を追跡する必要があり、計算時間が膨大になるという欠点を持っている。そこで、この計算時間を大幅に減少するため、我々はモンテカルロ法による半導体素子シミュレーション専用のマイクロプロセッサを設計・試作し、これを用いた専用並列計算機を開発した。この専用並列計算機を用いて実際に極微細半導体素子のシミュレーションを行い、正常な結果が得られることを確認した。