著者

中村 修二

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. OPE, 光エレクトロニクス

巻号頁・発行日

vol.96, no.445, pp.31-36, 1997-01-17

参考文献数

21

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InGaN多重量子井戸構造レーザーダイオードで初めて室温連続発振で27時間の寿命が達成された。しきいち電流と電圧はそれぞれ80mA、5.5Vまで減少させることができた。しきいち電流密度は3.6kA/cm^2とまだかなり高い。レーザー発光スペクトルではきれいに縦モードが室温連続発振の状態で観測された。縦モード間隔は0.0.42nmであり、これは計算値よりも少し小さい。発光ピーク波長は405.83nmであった。これは現存する室温連続発振する半導体レーザーの中では最短波長である。発振スペクトルの温度変化を測定すると大きなピーク波長のモードホッピングが観測された。キャリア寿命としきいちキャリア密度はそれぞれ10nsec、1-2×10^<20>/cm^3と見積もられた。