著者
中村 修二
出版者
一般社団法人日本物理学会
雑誌
日本物理學會誌 (ISSN:00290181)
巻号頁・発行日
vol.52, no.12, pp.924-925, 1997-12-05
著者
中村 修二
出版者
一般社団法人電子情報通信学会
雑誌
電子情報通信学会技術研究報告. OPE, 光エレクトロニクス
巻号頁・発行日
vol.96, no.445, pp.31-36, 1997-01-17
参考文献数
21

InGaN多重量子井戸構造レーザーダイオードで初めて室温連続発振で27時間の寿命が達成された。しきいち電流と電圧はそれぞれ80mA、5.5Vまで減少させることができた。しきいち電流密度は3.6kA/cm^2とまだかなり高い。レーザー発光スペクトルではきれいに縦モードが室温連続発振の状態で観測された。縦モード間隔は0.0.42nmであり、これは計算値よりも少し小さい。発光ピーク波長は405.83nmであった。これは現存する室温連続発振する半導体レーザーの中では最短波長である。発振スペクトルの温度変化を測定すると大きなピーク波長のモードホッピングが観測された。キャリア寿命としきいちキャリア密度はそれぞれ10nsec、1-2×10^<20>/cm^3と見積もられた。
著者
向井 孝志 中村 修二
出版者
公益社団法人 応用物理学会
雑誌
応用物理 (ISSN:03698009)
巻号頁・発行日
vol.68, no.2, pp.152-155, 1999-02-10 (Released:2009-02-05)
参考文献数
12
被引用文献数
4

窒化インジウムガリウム系材料を用いた発光デバイスの進展により白色LEDおよび紫外LEDが最近開発,商品化された.白色LEDはInGaN青色LEDとYAG蛍光体を組み合わせて構成されている.紫外LEDは発光波長が370nmと短波長である.ここでは白色LEDと紫外LEDの構造や特性を述べ,今後の課題や可能性について議論する.
著者
中村 修二
出版者
公益社団法人 応用物理学会
雑誌
応用物理 (ISSN:03698009)
巻号頁・発行日
vol.65, no.7, pp.676-686, 1996-07-10 (Released:2009-02-05)
参考文献数
78
被引用文献数
2

発光ダイオード (LED) の高光度フルカラー,あるいはディジタルビデオディスク (DVD) などの光ディスクの高密度記録のため短波長青色発光素子の実現はワイドバンドギャップ半導体材料を研究している研究者にとっては長年の夢であった.最近 GaN 系半導体材料を使用して従来の LED より約100倍明るい高光度青,緑色 InGaN 単一量子井戸構造 LED が相継いで開発製品化された.また半導体レーザーの中では最短波長である390~430nmの青紫色半導体レーザーも InGaN 多重量子井戸構造を発光層とすることにより 1995 年末に世界で初めて開発された.ここではこれらGaN系発光素子の現状と将来の展望について述べる.
著者
中村 修二
出版者
日経BP社
雑誌
日経エレクトロニクス (ISSN:03851680)
巻号頁・発行日
no.805, pp.75-80, 2001-09-24

中村氏 皆,エールを送ってくれています。どこのメーカーとか名前は言えませんが,大企業の第一線の技術者たちが「頑張ってください,陰ながら応援してますから」と声を掛けてくれました。多くの技術者は会社に対して不満を持っているんです。でも,それを口には出せない。自論ですが,日本は共産主義ですから。私が渡米するとき,親しい他社の技術者たちが宴会を開いてくれました。
著者
中村 修二 高下 義弘
出版者
日経BP社
雑誌
日経コンピュ-タ (ISSN:02854619)
巻号頁・発行日
no.700, pp.58-61, 2008-03-24

青色発光ダイオード(LED)を世界で初めて開発した中村修二氏に、創造の極意を尋ねた。それは「考える体力」と「自由」という。駆け出し技術者の時は、本と学問を捨て製品作りに没頭。知識や推論そして熟考だけではなく、体を動かして結果を出すことの大切さを知った。創業者が自由にやらせてくれたので、自分の信じるところを徹底追求できた。