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[招待講演]ナノリソグラフィー技術のデバイス応用
著者
川浦 久雄
阪本 利司
砂村 潤
馬場 雅和
佐野 亨
飯田 一浩
井口 憲行
馬場 寿夫
出版者
一般社団法人電子情報通信学会
雑誌
電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス
(
ISSN:09135685
)
巻号頁・発行日
vol.102, no.640, pp.23-26, 2003-02-03
近年の電子線リソグラフィー技術は10nmレベルまで達し、ナノサイズのデバイス作製が可能になった。ナノデバイスの魅力は、マクロスコピックな素子では実現不可能な機能を提供可能な点にある。例えばナノデバイスにより、量子効果の検出、単一電子帯電効果の増幅、原子・分子の直接ハンドリング等が可能となる。本稿では、上記機能を利用した3種のナノデバイス(極微細MOSFET、10値記憶可能な単一電子素子メモリ、ナノバイオ素子)について紹介する。
言及状況
変動(ピーク前後)
変動(月別)
分布
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こんな論文どうですか? [招待講演]ナノリソグラフィー技術のデバイス応用(川浦 久雄ほか),2003 http://id.CiNii.jp/N2mdL
収集済み URL リスト
https://ci.nii.ac.jp/naid/110003308225
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