著者

青柳 秀和 橋本 章 木下 彬 青野 朋義 佐藤 倬暢

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会論文誌. C-II, エレクトロニクス, II-電子素子・応用 (ISSN:09151907)

巻号頁・発行日

vol.76, no.11, pp.722-729, 1993-11-25

被引用文献数

2

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陽極化成の重要な作製パラメータである電流密度とHF水溶液濃度を系統的に変化させて多孔質シリコンの作製を行った.特に化成は一定温度のHF水溶液中で均一な電流密度分布の条件のもとで行われた.本論文では化成時の作製条件から直接得られる諸性質である解離原子価,多孔率,層厚形成効率の作製条件依存性を示した.これに加えて硬度の計測結果から求められた多孔質シリコンの力学的強度と,一般に用いられている2次元正方格子状に配列した穴の円筒モデルから求められた多孔質シリコンの自立限界についての比較を試みた.