著者

長 秀雄 竹本 幹男 西野 秀郎 塚原 祐輔 佐藤 倬暢 佐藤 治道 中野 禅 山中 一司

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. US, 超音波

巻号頁・発行日

vol.96, no.28, pp.41-47, 1996-04-26

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レーザー干渉縞の位相速度走査法により励起した弾性表面波を用いて多孔質シリコン層の位相速度分散を30-90 MHz範囲で、また異方性を非破壊・非接触で測定した。音速測定誤差は1%以下と良好であった。位相速度は空孔率の増加とともに低下し、単結晶シリコンの1/2-1/3と極めて低かった。また、音速の伝播方向依存性を測定したところ90度の周期の異方性が測定され、周波数の上昇とともに最大・最小の音速差は小さくなり、空孔率0.500場合60MHzでは約30m/s程度であった。さらに、逆問題解析によって3個の弾性定数(C_<11>,C_<12>,C_<44>)と膜厚を独立した4つの未知数として推定した。その結果,空孔率の大きい多孔質シリコンはほぼ等方性であり、非晶質的であると思われる。

著者

佐藤 倬暢

出版者

社団法人エレクトロニクス実装学会

雑誌

エレクトロニクス実装学会誌 (ISSN:13439677)

巻号頁・発行日

vol.4, no.4, pp.282-288, 2001-07-01

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21世紀はマルチメディア機器が広く一般に使われる高度情報化社会になると思われている。このような高度情報化社会の実現を支える基盤技術の1つはMEMS(Micro Electro Mechanical Systems)の集積化である。すなわち, 電子システムインテグレーションという新しい概念で, Si基板をベースに電子回路だけではなく, センサやアクチュエータなどが混在一体となった素子の実用化である。今日のMEMSでは信号遅延と発熱を抑える問題がクローズアップされ, 低抵抗Cuの埋め込み配線(Damascene)や低誘電率層間絶縁膜, 配線を極小化する3次元実装などの検討が精力的に行われている。ウエハレベル3次元実装での問題は, 積層時の層間配線である。これまでの積層基板では貫通電極上にインナバンプを設けて, そのバンプで結線していた。しかし, バンプ形成時にその高さを均一に作ることは困難で, 研磨して高さを揃えているのが現状である。この問題を解決するために, 基板を数枚3次元方向に積層した後, 基板間を溶融金属吸引方式で配線する技術を開発し, バンプレスでの結線に成功したので紹介する。

著者

青柳 秀和 橋本 章 木下 彬 青野 朋義 佐藤 倬暢

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会論文誌. C-II, エレクトロニクス, II-電子素子・応用 (ISSN:09151907)

巻号頁・発行日

vol.76, no.11, pp.722-729, 1993-11-25

被引用文献数

2

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陽極化成の重要な作製パラメータである電流密度とHF水溶液濃度を系統的に変化させて多孔質シリコンの作製を行った.特に化成は一定温度のHF水溶液中で均一な電流密度分布の条件のもとで行われた.本論文では化成時の作製条件から直接得られる諸性質である解離原子価,多孔率,層厚形成効率の作製条件依存性を示した.これに加えて硬度の計測結果から求められた多孔質シリコンの力学的強度と,一般に用いられている2次元正方格子状に配列した穴の円筒モデルから求められた多孔質シリコンの自立限界についての比較を試みた.