著者
中島 博臣 藤原 実 川中 繁 新居 英明 篠 智彰 東 篤志 井納 和美 幸山 裕亮 勝又 康弘 石内 秀美
出版者
一般社団法人電子情報通信学会
雑誌
電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス (ISSN:09135685)
巻号頁・発行日
vol.102, no.271, pp.31-36, 2002-08-15

High-End LSIをターデットとした90nmノード(ゲート長60nm)部分空乏型SOI MOSFETに関して、ゲート絶縁膜形成条件や、Extension/Haloイオン注入条件、スパイクアニールによる活性化条件を最適化することにより、NMOSのIon=910μA/μm、PMOSのIon=320μA/μm、(Ioff=30nA/μm、Vdd=1.0V with self-heating)を達成し、10年以上のHCI Life TimeをNMOS・PMOS双方に対して確認した。

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こんな論文どうですか? 90nmノード高性能部分空乏型SOI CMOSデバイス(中島 博臣ほか),2002 http://t.co/hl3CeFsCEQ High-End LSIをターデットとした…

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