著者

中島 博臣 藤原 実 川中 繁 新居 英明 篠 智彰 東 篤志 井納 和美 幸山 裕亮 勝又 康弘 石内 秀美

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス (ISSN:09135685)

巻号頁・発行日

vol.102, no.271, pp.31-36, 2002-08-15

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High-End LSIをターデットとした90nmノード(ゲート長60nm)部分空乏型SOI MOSFETに関して、ゲート絶縁膜形成条件や、Extension/Haloイオン注入条件、スパイクアニールによる活性化条件を最適化することにより、NMOSのIon=910μA/μm、PMOSのIon=320μA/μm、(Ioff=30nA/μm、Vdd=1.0V with self-heating)を達成し、10年以上のHCI Life TimeをNMOS・PMOS双方に対して確認した。

著者

大澤 隆 東 知輝 藤田 勝之 池橋 民雄 梶山 健 福住 嘉晃 篠 智彰 山田 浩玲 中島 博臣 南 良博 山田 敬 井納 和美 浜本 毅司

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス (ISSN:09135685)

巻号頁・発行日

vol.103, no.260, pp.23-28, 2003-08-15

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Floating body transistor cell(FBC)と名づけたセルサイズ0.21μm^2のSOI上の1トランジスタゲインセルを使った288Kbitメモリ設計について紹介すると同時に、セルの基本特性とこのメモリチップの性能に関する評価結果を述べる。メモリアレー内の"1"データセル及び"0"データセルの閾値電圧をdirect access test circuitにより測定した。また、96Kbitアレーのフェイルビットマップも取得することが出来た。センス方式はプロセスや温度の変動によるセル特性のばらつきをcommon mode noiseとして補償しキャンセルするように設計されている。このセンスアンプの動作が確認出来、100ns以内のアクセス時間を達成することが示された。データ保持時間の測定から将来の混載DRAMのメモリセル候補として有望であることが実証された。