1 0 0 0 90nmノード高性能部分空乏型SOI CMOSデバイス
- 著者
- 中島 博臣 藤原 実 川中 繁 新居 英明 篠 智彰 東 篤志 井納 和美 幸山 裕亮 勝又 康弘 石内 秀美
- 出版者
- 一般社団法人電子情報通信学会
- 雑誌
- 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス (ISSN:09135685)
- 巻号頁・発行日
- vol.102, no.271, pp.31-36, 2002-08-15
High-End LSIをターデットとした90nmノード(ゲート長60nm)部分空乏型SOI MOSFETに関して、ゲート絶縁膜形成条件や、Extension/Haloイオン注入条件、スパイクアニールによる活性化条件を最適化することにより、NMOSのIon=910μA/μm、PMOSのIon=320μA/μm、(Ioff=30nA/μm、Vdd=1.0V with self-heating)を達成し、10年以上のHCI Life TimeをNMOS・PMOS双方に対して確認した。