著者

谷川 高穂 山縣 保司 白井 浩樹 杉村 啓世 和気 智子 井上 顕 佐甲 隆 坂尾 眞人

出版者

一般社団法人電子情報通信学会

雑誌

電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路 (ISSN:09135685)

巻号頁・発行日

vol.107, no.1, pp.17-22, 2007-04-05

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MIMキャパシタを用いた混載DRAMデバイス技術について報告する。我々は150nm世代よりLowパワーかつ高速アクセス性能を持つ混載DRAMを実現するために「Full Metal DRAM」技術と呼ぶセル技術を導入した。本技術の特徴はセルの寄生抵抗を低減できることと、標準CMOSロジック性能との完全互換性が得られることである。90nm世代からは、High-k容量絶縁膜(ZrO2)技術を導入して、セルサイズの縮小を図り、さらに55nm世代からHigh-kゲート絶縁膜(HfSiON)技術を導入することによりデバイススケーリングと性能向上を図る。