MIMキャパシタを用いた混載DRAMデバイス技術について報告する。我々は150nm世代よりLowパワーかつ高速アクセス性能を持つ混載DRAMを実現するために「Full Metal DRAM」技術と呼ぶセル技術を導入した。本技術の特徴はセルの寄生抵抗を低減できることと、標準CMOSロジック性能との完全互換性が得られることである。90nm世代からは、High-k容量絶縁膜(ZrO2)技術を導入して、セルサイズの縮小を図り、さらに55nm世代からHigh-kゲート絶縁膜(HfSiON)技術を導入することによりデバイススケーリングと性能向上を図る。