著者

米永 一郎

出版者

公益社団法人 応用物理学会

雑誌

応用物理 (ISSN:03698009)

巻号頁・発行日

vol.86, no.12, pp.1040-1051, 2017

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<p>半導体中の固有点欠陥はデバイスの性能と劣化に影響するため,その形成と移動について実験と理論の両面から多くの研究が進められてきた.しかしながら,それらの報告値は現状,混乱の極みにある.ここでは,半導体中の点欠陥の原子構造と電荷状態の基礎的な説明のあと,シリコンでの形成エネルギーに関する実験結果,理論的予測,それらに対する外部静水圧や不純物の影響,複合体化,さらにエントロピーに関する現状を紹介する.その後,ゲルマニウムとワイドギャップ半導体における研究を簡単に述べる.</p>