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1 0 0 0 4H-SiC, GaNの基底面転位の<em>m</em>面電子線照射による挙動

著者
石川 由加里 須藤 正喜 菅原 義弘 姚 永昭 加藤 正史 三好 実人 江川 孝志
出版者
応用物理学会
雑誌
2019年第66回応用物理学会春季学術講演会
巻号頁・発行日
2019-01-25

言及状況

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2019年第66回応用物理学会春季学術講演会の加藤関連発表その５（前のツイート数字間違えてた）。JFCCとの共同研究です。/4H-SiC, GaNの基底面転位のm面電子線照射による挙動 https://t.co/fn1Wcnzu51

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