文献一覧: 加藤正史 (著者)

2 0 0 0 OA 疫学と実験研究による低周波騒音の健康障害の解明と予防法の開発

著者: 加藤昌志加藤正史大神信孝矢嶋伊知朗
出版者: 名古屋大学
雑誌: 基盤研究(A)
巻号頁・発行日: 2015-04-01

本研医工連携研究では、まず、単波長の低周波音の曝露装置(低周波音刺激装置)を作製した。次に、実験研究により、低周波音が健康障害(平衡・運動機能障害)を誘発する閾値を提案するとともに、作用機序と内耳前庭にある標的部位(耳石・耳石膜)を特定した。また、内耳前庭の培養組織を用いて、迅速に低周波音の健康リスクを評価する技術を開発した。一方、疫学研究により、低周波音の健康影響をヒト(ヤングアダルト)で評価した。最後に、耳石膜のHeat Shock protein 70分子の発現を高めることで低周波音に由来する平衡・運動機能障害を予防できる可能性を、動物レベルで提案した。

2022-06-15 00:31:03
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https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-15H01743/

2 0 0 0 OA GaN基板上GaNホモエピ層に対する過剰キャリアライフタイム評価

著者: (B)浅田貴斗市川義人伊藤健治冨田一義成田哲生加地徹加藤正史
出版者: 応用物理学会
雑誌: 2017年第64回応用物理学会春季学術講演会
巻号頁・発行日: 2017-02-03

2017-02-27 18:44:53
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https://confit.atlas.jp/guide/event/jsap2017s/subject/14a-315-3/detail

2 0 0 0 OA 光透過を利用したSiC PINダイオード内部キャリア分布測定

著者: 加藤正史前伸一米澤喜幸加藤智久
出版者: 応用物理学会
雑誌: 2017年第64回応用物理学会春季学術講演会
巻号頁・発行日: 2017-02-03

2017-02-18 12:49:45
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https://confit.atlas.jp/guide/event/jsap2017s/subject/15p-F204-10/detail

2 0 0 0 過剰キャリアライフタイム測定によるGaNのプラズマエッチングダメージの解析とアニール効果の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

著者: 福島圭亮加藤正史市村正也兼近将一石黒修加地徹
出版者: 一般社団法人電子情報通信学会
雑誌: 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス (ISSN:09135685)
巻号頁・発行日: vol.107, no.56, pp.23-28, 2007-05-17
参考文献数: 9

窒化ガリウム(GaN)は高出力,高周波デバイスへの応用が期待されており,GaNのバイポーラデバイスプロセスにおいてエッチング工程は不可欠である.GaNのエッチング技術としてプラズマエッチングの1つであるICP(Inductively coupled plasma)エッチングは有効であるが,試料表面にダメージ層を形成することがわかっている.本研究ではICPエッチング処理を施したGaNに対し,マイクロ波光導電減衰(μ-PCD)法により過剰キャリアライフタイムを測定した.減衰曲線の温度依存特性を測定することでICPエッチングダメージが導入する欠陥準位の特性を評価した.そしてICPエッチング処理を施したGaNにアニール処理をし,アニール温度による過剰キャリアライフタイムの変化を観測することでアニールの効果を議論した.