1 0 0 0 OA 4H-SiCのA面における基底面転位の電子線照射による拡張挙動
- 著者
- 須藤 正喜 姚 永昭 菅原 義弘 石川 由加里 加藤 正史
- 出版者
- 公益社団法人 日本表面真空学会
- 雑誌
- 表面科学学術講演会要旨集 2016年真空・表面科学合同講演会
- 巻号頁・発行日
- pp.399, 2016 (Released:2016-11-29)
SiCトレンチ型バイポーラデバイスにおいて酸化膜/(11-20)界面近傍の基底面転位の挙動を観察し、その構造を明らかにすることはトレンチ型デバイスの信頼性を向上する上で重要である。本研究では(11-20)A面のn型4H-SiCにおいて電子線誘起電流法、カソードルミネッセンス測定を行うことにより転位と積層欠陥の観察を行い、透過型電子顕微鏡による構造解析を行った。