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加藤正史 (@m34kato)

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投稿一覧（最新100件）

1 0 0 0 4H-SiC SJ-UMOSFET 内部のキャリアライフタイム分布測定

2020年第67回応用物理学会春季学術講演会における、うちの研究室の学生の発表。SiCスーパージャンクションMOSFET内部のライフタイムを測ってみました/4H-SiC SJ-UMOSFET 内部のキャリアライフタイム分布測定 https://t.co/Xu3AVAbmz9

1 0 0 0 4H-SiC極性面の表面再結合速度の注入フォトン数依存性

2020年第67回応用物理学会春季学術講演会における、うちの研究室の学生の発表の1つ。SiCキャリア再結合の励起強度（励起キャリア濃度）依存性の話/4H-SiC極性面の表面再結合速度の注入フォトン数依存性 https://t.co/OLjHdLjnSU

1 0 0 0 SiCエピ膜から得られるμ-PCDおよびTR-PL減衰曲線の比較

2020年第67回応用物理学会春季学術講演会にて、うちの研究室からは私自身と学生３名が一般講演します。１つ目は自分の。以前取ったデータを良く見直して検討したキャリア寿命の議論/SiCエピ膜から得られるμ-PCDおよびTR-PL減衰曲線の比較 https://t.co/aEbYkfN9T6

1 0 0 0 Microscopic FCA system for carrier lifetime measurement in SiC with high spatial resolution

我々のレイトニュースペーパーもう一件は高空間分解能キャリアライフタイム測定のオーラルプレゼンテーションです https://t.co/wNcS7IpNbd https://t.co/Ym4B72zF0h

1 0 0 0 Nondestructive depth distribution measurements of carrier lifetime in 4H-SiC thick epitaxial layers with high spatial resolution

ICSCRM2019のプログラムが更新され、レイトニュースペーパーが追加されました。そのうち1件は我々の非破壊キャリアライフタイム測定のポスタープレゼンテーションです　https://t.co/WuSmwZZnqC

1 0 0 0 High Performance 3C-SiC Photocathode with Texture Structure Formed by Electrochemical Etching

9月末より京都で開催されるICSCRM2019にて、太陽光による水素生成むけ高性能SiC光陰極の発表をします。光閉じ込め効果を利用して性能向上できました。https://t.co/II5YV0pGm9

1 0 0 0 界面顕微光応答法によるSiCウエハーに存在する構造欠陥の2次元評価

2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会における加藤関連発表その４。福井大塩島先生との共同研究です/界面顕微光応答法によるSiCウエハーに存在する構造欠陥の2次元評価 https://t.co/0XLNbeGUEQ

1 0 0 0 4H-SiC 厚膜エピの高注入ライフタイムおよび拡散長推定

2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会における加藤関連発表その３。SiCに対するキャリアライフタイム測定です。空間分解能とライフタイムの値の信頼性を従来より向上させて、議論しています。/4H-SiC 厚膜エピの高注入ライフタイムおよび拡散長推定 https://t.co/zxLWRMttZh

1 0 0 0 GaN縦型pnダイオード内部のキャリア寿命・EL分布

2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会おける加藤関連発表その２。名古屋大学天野研との共同研究です/GaN縦型pnダイオード内部のキャリア寿命・EL分布 https://t.co/C30y80D4if

1 0 0 0 GaNエピ膜のTR-PL遅い減衰成分におけるSi濃度依存

2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会における加藤関連発表その１。自分で喋ります。スライド準備しないと…/GaNエピ膜のTR-PL遅い減衰成分におけるSi濃度依存 https://t.co/TqljzlZGzx

1 0 0 0 Observation of Slow Carrier Recombination in p-type GaN Epilayers on GaN Substrates

SSDMでの加藤の関連発表その２。p型GaNのキャリア再結合評価／2019 International Conference on Solid State Devices and Materials /Observation of Slow Carrier Recombination in p-type GaN Epilayers on GaN Substrates https://t.co/qns71L0oO9

1 0 0 0 Observetion of Photoexcited Carrier Recombination in Metal Halide Perovskite Materials with Single and Poly crystalline structures

SSDMでペロブスカイトの発表します/2019 International Conference on Solid State Devices and Materials /Observetion of Photoexcited Carrier Recombination in Metal Halide Perovskite Materials with Single and Poly crystalline structures https://t.co/zsLIyqvZCi

1 0 0 0 4H-SiC, GaNの基底面転位のm面電子線照射による挙動

2019年第66回応用物理学会春季学術講演会の加藤関連発表その５（前のツイート数字間違えてた）。JFCCとの共同研究です。/4H-SiC, GaNの基底面転位のm面電子線照射による挙動 https://t.co/fn1Wcnzu51

1 0 0 0 4H-SiC埋め込みN/Vコドープによる短ライフタイム層の観測

2019年第66回応用物理学会春季学術講演会加藤関連発表その３。SiCバイポーラデバイスの性能最適化のためのライフタイムコントロール技術（Vドープ）の評価/4H-SiC埋め込みN/Vコドープによる短ライフタイム層の観測 https://t.co/rifpr9uxrV

1 0 0 0 4H-SiC ウェハの表面ラフネス周辺におけるライフタイムマッピング

2019年第66回応用物理学会春季学術講演会の加藤関連発表その３。SiCに対する高空間分解能ライフタイムマッピングの話/4H-SiC ウェハの表面ラフネス周辺におけるライフタイムマッピング https://t.co/dsJqeo9i2n

1 0 0 0 ペロブスカイト構造結晶に対する光伝導性測定

2019年第66回応用物理学会春季学術講演会の加藤関連発表その２。ペロブスカイト材料に対するマイクロ波光伝導減衰法評価の話/ペロブスカイト構造結晶に対する光伝導性測定 https://t.co/eRlYrqWnL4

1 0 0 0 Hydrogen generation by water splitting using TiO2 and 3C-SiC in tandem structure

3/9-12に開催される2019年第66回応用物理学会春季学術講演会の加藤関連発表その１。光陽極と光陰極のタンデム化による無バイアス太陽光水分解の話。/Hydrogen generation by water splitting using TiO2 and 3C-SiC in tandem structure https://t.co/NTaaH7yJz8

1 0 0 0 4H-SiC厚膜エピにおける深さ分解ライフタイム測定

2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会の加藤の関連発表その４。厚膜エピ内部のライフタイム評価の話です /4H-SiC厚膜エピにおける深さ分解ライフタイム測定 https://t.co/LC7Z1zCZm0

1 0 0 0 4H-SiCのSi・C面表面再結合速度 -測定・解析精度向上による再検討-

2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会の加藤の関連発表その３。SiCの表面再結合速度の話です。心苦しいのですが今までの訂正も含んでます /4H-SiCのSi・C面表面再結合速度 -測定・解析精度向上による再検討- https://t.co/u3q29GPdBH

1 0 0 0 表面積拡大による3C-SiC光電極の性能向上

2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会における加藤の関連発表その２。久しぶりにSiC光触媒の話です。太陽光ー水素エネルギー変換効率が上がりました。 /表面積拡大による3C-SiC光電極の性能向上 https://t.co/S465B3hMul

1 0 0 0 GaN基板上n型およびp型エピ層のキャリア再結合の比較

2018年第79回応用物理学会秋季学術講演会における加藤の関連発表その１。p型GaNの評価です。 /GaN基板上n型およびp型エピ層のキャリア再結合の比較 https://t.co/Q1K846t12O

1 0 0 0 GaNホモエピ膜のTR-PL信号における遅い時定数成分に対する数値解析

【宣伝】2018年第65回応用物理学会春季学術講演会における加藤関連発表その３。GaNに対するキャリア再結合測定結果の解析。学生ではなく解析した私が登壇します。/GaNホモエピ膜のTR-PL信号における遅い時定数成分に対する数値解析 https://t.co/bmzJQxSkxy

1 0 0 0 GaN 基板上 GaN エピ層キャリア再結合の遅い減衰

【宣伝】2018年第65回応用物理学会春季学術講演会における加藤関連発表その２。GaNに対するキャリア再結合測定の報告。物理が少しずつわかってきました。/GaN 基板上 GaN エピ層キャリア再結合の遅い減衰 https://t.co/jaRpjl1WVz

1 0 0 0 4H-SiC非極性面の表面再結合速度の解析

【宣伝】2018年第65回応用物理学会春季学術講演会における加藤関連発表その１。SiCのキャリアライフタイム測定の話。 /4H-SiC非極性面の表面再結合速度の解析 https://t.co/qTQxdzE7hP

1 0 0 0 Observations of Inhomogeneity of 3C-SiC Layers Grown on 6H-SiC Substrates Using Scanning Internal Photoemission Microscopy

SSDM2017 https://t.co/mcHmZ0dmm1　にて福井大塩島研との共同研究の発表があります。SiC基板上の3C-SiCのポリタイプ混在の評価の話。　https://t.co/hcVMocTjKz

1 0 0 0 OA 4H-SiCのA面における基底面転位の電子線照射による拡張挙動

2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会での加藤関連の発表その３。JFCCとの共同研究です。/4H-SiCのA面における基底面転位の電子線照射による拡張挙動 https://t.co/VxFxKKvWZq

1 0 0 0 OA NbドープTiO2単結晶における光触媒活性とキャリアライフタイムの関係

2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会での加藤関連の発表その２。TiO2の評価の話です。最近はSiC・GaNだけじゃなく、酸化物も研究してます。/NbドープTiO2単結晶における光触媒活性とキャリアライフタイムの関係 https://t.co/VzPUmVSD5O

1 0 0 0 OA 4H-SiC (11`20) a面の表面再結合速度

2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会での加藤関連の発表その１。SiCの非極性面での表面再結合速度の話。たまにはポスターにするかなと思ってポスター発表です。話しかけてねｗ /4H-SiC (11`20) a面の表面再結合速度 https://t.co/rcTQGGkZbE

1 0 0 0 OA 4H-SiC中1SSF・PD起因フォトルミネッセンス減衰時間の温度依存性

【宣伝】2017年第64回応用物理学会春季学術講演会での加藤関連の発表その５。シングルショックレー型積層欠陥の光学特性を評価した研究。/4H-SiC中1SSF・PD起因フォトルミネッセンス減衰時間の温度依存性 https://t.co/0IdbkwckMh

2 0 0 0 OA GaN基板上GaNホモエピ層に対する過剰キャリアライフタイム評価

【宣伝】2017年第64回応用物理学会春季学術講演会での加藤関連の発表その４。名大と豊田中研とのGaN評価に関する共同研究。私は名工大と名大両方の所属としての発表です/GaN基板上GaNホモエピ層に対する過剰キャリアライフタイム評価 https://t.co/l3YVqYMSiM

1 0 0 0 OA 界面顕微光応答法による6H-SiC基板上Ni/p-3C-SiCショットキー接触の2次元評価

【宣伝】2017年第64回応用物理学会春季学術講演会での加藤関連の発表その３。福井大塩島研との共同研究。3C-SiCの電気特性分布の測定の話/界面顕微光応答法による6H-SiC基板上Ni/p-3C-SiCショットキー接触の2次元評価 https://t.co/pQaDKTLmuU

1 0 0 0 OA 顕微FCA測定によるSiCの深さ分解ライフタイム測定

【宣伝】2017年第64回応用物理学会春季学術講演会での加藤関連の発表その２。非破壊で半導体(SiC)内部のキャリアライフタイム分布を測定する技術。この測定も世界初だと思われる/顕微FCA測定によるSiCの深さ分解ライフタイム測定 https://t.co/mwvz0IAlIN

2 0 0 0 OA 光透過を利用したSiC PINダイオード内部キャリア分布測定

【宣伝】2017年第64回応用物理学会春季学術講演会での加藤関連の発表その１。これは私自身の発表。PiNダイオード内部のキャリアを高い空間分解能で測定したのはたぶん世界初/光透過を利用したSiC PINダイオード内部キャリア分布測定 https://t.co/aGMzofKgd0

1 0 0 0 OA A面n型4H-SiCエピタキシャル層中の基底面転位の電子線励起による拡張の観察および構造解析

そういえば、連名の発表を2016年真空・表面科学合同講演会していたので、ご報告のツイートです。SiCの非極性面からの転位観察の話。 https://t.co/OMrK72GXI7

1 0 0 0 OA 界面顕微光応答によるNi/n-SiCの界面反応の2次元評価

【宣伝】今月開催される応物学会における、私の関連発表紹介その６（最後）。福井大、塩島研との共同研究のうちの二つ目です。／2016年第77回応用物理学会秋季学術講演会 /界面顕微光応答によるNi/n-SiCの界面反応の2次元評価 https://t.co/1jcXwwGY4f

1 0 0 0 OA 複焦点界面顕微光応答法による3C-SiC層の2次元評価

【宣伝】今月開催される応物学会における、私の関連発表紹介その５。福井大、塩島研との共同研究のうちの一つです。／2016年第77回応用物理学会秋季学術講演会 /複焦点界面顕微光応答法による3C-SiC層の2次元評価 https://t.co/CyArgcIMoT

1 0 0 0 OA A面n型4H-SiC エピタキシャル層中の基底面転位の電子線励起による拡張の観察

【宣伝】今月開催される応物学会における、私の関連発表紹介その４。JFCCのグループとの共同研究です。／2016年第77回応用物理学会秋季学術講演会 /A面n型4H-SiC エピタキシャル層中の基底面転位の電子線励起による拡張の観察 https://t.co/eWKA9G8Ln7

1 0 0 0 OA 太陽光-水素エネルギー変換効率0.58%を示す3C-SiC光電極

【宣伝】今月開催される応用物理学会における、私の関連の発表の紹介その３。水分解（人工光合成）用SiC光電極の続報です／2016年第77回応用物理学会秋季学術講演会 /太陽光－水素エネルギー変換効率0.58%を示す3C-SiC光電極 https://t.co/WogKHyCi6C

1 0 0 0 OA 4H-SiC表面再結合の接触水溶液pH依存性

【宣伝】今月開催される応用物理学会における、私の関連の発表の紹介その２。SiCを酸性水溶液に浸すと表面再結合が抑制される現象の定量化／2016年第77回応用物理学会秋季学術講演会 /4H-SiC表面再結合の接触水溶液pH依存性 https://t.co/z03mL2hXvI

1 0 0 0 OA n型4H-SiC中SSF起因フォトルミネッセンスの時間分解測定

【宣伝】今月開催される応用物理学会における、私の関連の発表の紹介第一弾です。ただ、まずは関連というか、私が第一著者の。／2016年第77回応用物理学会秋季学術講演会 /n型4H-SiC中SSF起因フォトルミネッセンスの時間分解測定 https://t.co/DhFGLE90Ys

51 0 0 0 OA 大学教員の研究業績に対する性別の影響

RT @ceekz: 大学教員の研究業績に対する性別の影響 https://t.co/lXJvN0JafS 要因統制をかけると性別は業績に影響せず、出張日数が業績に影響するのだとか。

1 0 0 0 OA 4H-SiC光電極を用いたCO2還元への助触媒効果

応用物理学会春季学術講演会の私に関連する講演の宣伝５つ目。こちらは東工大、波多野研究室との共同研究です。/4H-SiC光電極を用いたCO2還元への助触媒効果 https://t.co/aNnWm2k1DK

1 0 0 0 OA 界面顕微光応答法によるNi/p-3C-SiCショットキー接触の2次元評価

応用物理学会春季学術講演会の私に関連する講演の宣伝４つ目。こちらは福井大、塩島研究室との共同研究です。/界面顕微光応答法によるNi/p-3C-SiCショットキー接触の2次元評価 https://t.co/oaZiaIWQsR

1 0 0 0 OA 表面n型層の形成によるp型3C-SiC光電極の性能向上

応用物理学会春季学術講演会の私に関連する講演の宣伝三つ目。これはポスター講演。SiC光陰極による水素生成量を増加させることができました。/表面n型層の形成によるp型3C-SiC光電極の性能向上 https://t.co/uWn8ORBDHi

1 0 0 0 OA 水溶液と接触した4H-SiCにおける表面再結合

応用物理学会春季学術講演会の私に関連する講演の宣伝二つ目。えっ、水溶液に浸すとSiCの表面再結合速度が変わるの！？っていう話。いろいろ試してみるもんですねぇ。／水溶液と接触した4H-SiCにおける表面再結合 https://t.co/MgH3AdMMbC

1 0 0 0 OA 4H-SiCにおける表面再結合速度の解析制度向上

応用物理学会春季学術講演会の私に関連する講演の宣伝を書きます。一つ目はSiC表面再結合速度の見積もりの話。いきなりですが、この講演は学生が入力したタイトルが間違ってます…制度✕精度○／4H-SiCにおける表面再結合速度の解析制度向上 https://t.co/rt8a0wh5O8

1 0 0 0 OA 3C-SiC光電極を用いたCO2還元によるメタン生成

2015年第76回応用物理学会秋季学術講演会にて私が共著者の発表3件中3件目”3C-SiC光電極を用いたCO2還元によるメタン生成”東工大との共同研究で、SiC光電極による水素生成とは違う人工光合成反応の話です。 https://t.co/ozzmhuuaq2

1 0 0 0 OA 助触媒担持による3C-SiC光電極の性能向上

2015年第76回応用物理学会秋季学術講演会にて私が共著者の発表3件中2件目”助触媒担持による3C-SiC光電極の性能向上”前回の講演会で発表したSiC光電極の水素生成の性能向上についての話です。 https://t.co/TupqELDLjj

1 0 0 0 OA 4H-SiC中Al準位の正孔捕獲断面積

9月に開催される2015年第76回応用物理学会秋季学術講演会にて、私が共著者となっている発表は3件あります。1件目は”4H-SiC中Al準位の正孔捕獲断面積”です。 https://t.co/1Oqi4nEFKQ

1 0 0 0 OA 12 mA/W の光電流を示す水分解用 SiC

先のツイートでリンクした記事中に記載されている応用物理学会講演会での発表予定は12a-B4-6　https://t.co/RKCof7hqyN　です。第一著者の不手際により共著者の名前がプログラムに表示されていませんｗので、申し訳ありませんがご注意ください。

233 0 0 0 「論文捏造」取材の現場から

RT @kaishi_jps: 日本物理学会誌2007年の62巻7月号「話題」欄に『「論文捏造」取材の現場から』が掲載されています。オープンアクセスですのでどなたでもご覧になれます。 http://t.co/47SFw0wHir 掲載から何年も経過しているにもかかわらず最後の2…

88 0 0 0 OA オーサーシップの考えを変える時だ

RT @min2fly: “オーサーシップの考えを変える時だ” http://t.co/kY824JRUEy #図書館 #science #university

7 0 0 0 OA レフェリーシステムを考える

学術雑誌のレフェリングの話「編集者は，このレフェリーの保守性に抗して，積極性を持って取り組む必要」という点が興味深かった。しかし学術雑誌も変わっていくし、レフェリングに関する議論は終わらないんだろうな。／”レフェリーシステムを考える”https://t.co/2OZQ3JDstc